天津單晶氧化鋁多少錢

氮化鋁是共價鍵化合物，屬于六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，呈白色或灰白色。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。氮化鋁導熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。具有優(yōu)異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2～3倍，熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性，尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性，還具有優(yōu)良的電絕緣性和介電性質(zhì)。但氮化鋁的高溫抗氧化性差，在大氣中易吸潮、水解，和濕空氣、水或含水液體接觸產(chǎn)生熱和氮并迅速分解。在2516℃分解，熱硬度很高，即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應(yīng)，而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應(yīng)。氮化鋁粉體的制備工藝還有自蔓延合成法、原位自反應(yīng)合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。天津單晶氧化鋁多少錢

氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板，具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。作為DPC、DBC、AMB等陶瓷覆銅板的陶瓷基板之一，氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。因制備難度較大，目前國內(nèi)氮化鋁陶瓷基板仍以進口為主。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，具有密度低、強度高、耐熱性好、導熱系數(shù)高、耐腐蝕等優(yōu)點。由于鋁和氮的原子序數(shù)小，氮化鋁本身具有很高的熱導率，其理論熱導率可達319W/m·K。然而，在實際產(chǎn)品中，氮化鋁的晶體結(jié)構(gòu)不能完全均均勻分布，并且存在許多雜質(zhì)和缺陷，使得其熱導率低至170-230W/m·K。廣州片狀氮化硼價格氮化鋁是高溫和高功率的電子器件的理想材料。

影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素：致密度：根據(jù)氮化鋁的熱傳導性能，低致密度的樣品存在的大量氣孔，會影響聲子的散射，降低其平均自由程，進而降低氮化鋁陶瓷的熱導率。同時，低致密度的樣品其機械性能也可能達不到相關(guān)應(yīng)用要求。因此，高致密度是氮化鋁陶瓷具有高熱導率的前提。顯微結(jié)構(gòu)：氮化鋁陶瓷的顯微組織結(jié)構(gòu)與其熱力學性能有著一一對應(yīng)，顯微結(jié)構(gòu)包括晶粒尺寸、形貌和晶界第二相的含量及分布等。實際的氮化鋁陶瓷為多相組成的多晶體，它主要由氮化鋁晶相、鋁酸鹽第二相（晶界相）以及氣孔等缺陷組成。除了對氮化鋁的晶格缺陷進行研究外，許多人還對氮化鋁的晶粒、晶界形貌、晶界相的組成、性質(zhì)、含量、分布、以及它們與熱導率的關(guān)系進行了較廣研究，一般認為鋁酸鹽第二相的分布對熱導率的影響很為重要。

氮化鋁陶瓷微觀結(jié)構(gòu)對熱導率的影響：在實際應(yīng)用中，常在AlN中加入各種燒結(jié)助劑來降低AlN陶瓷的燒結(jié)溫度，與此同時在氮化鋁晶格中也引入了第二相，致使熱傳導過程中聲子發(fā)生散射導致熱導率下降。添加燒結(jié)助劑引入的第二相會出現(xiàn)幾種情況：從分布形式來看，可分為孤島狀和連續(xù)分布在晶界處；從分布位置來看，可分為分布在晶界三角處和晶界其他處。連續(xù)分布的晶?？蔀槁曌犹峁┝烁苯拥耐ǖ?，直接接觸AlN晶粒比孤立分布的AlN晶粒具有更高的熱導率，所以第二相是連續(xù)分布的更好；分布于晶界三角處的AlN陶瓷在熱傳導過程中產(chǎn)生的干擾散射較少，而且能夠使AlN晶粒間保持接觸，故而第二相分布在晶界三角處更好。此外，晶界相若分布不均勻，會導致大量的氣孔存在，阻礙聲子的散射，導致AlN的熱導率下降，晶界含量、晶界大小以及氣孔率對熱導率的表現(xiàn)也有一定的影響。因此，在AlN陶瓷的燒結(jié)過程中，可以通過改善燒結(jié)工藝的途徑，如提高燒結(jié)溫度、延長保溫時間、熱處理等，改善晶體內(nèi)部缺陷，盡可能使第二相連續(xù)分布以及位于三叉晶界處，從而提高氮化鋁陶瓷的熱導率。氮化鋁要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級的物料。

氮化鋁(AlN)綜合性能相當優(yōu)良，是當前具有高熱傳導性和出色的電絕緣特性這一有趣組合的先進陶瓷材料，這樣得天獨厚的優(yōu)點使得業(yè)界對它的應(yīng)用潛力十分看好。盡管氮化鋁是當前材料科學界很炙手可熱的材料之一，但其發(fā)展其實并不順遂。盡管在1877年就已合成，但隨后的100多年間其實都沒什么實際應(yīng)用，直到20世紀50年代，人們才成功制得氮化鋁陶瓷，并作為耐火材料應(yīng)用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。要發(fā)展氮化鋁陶瓷，選對方向很關(guān)鍵。目前氮化鋁陶瓷的制備工藝日趨成熟，應(yīng)用范圍也在不斷擴大，尤其是進入21世紀后，人們對微電子技術(shù)的重視又為氮化鋁材料的發(fā)展增添了不少籌碼。礦物酸通過侵襲粒狀物質(zhì)的界限使氮化鋁慢慢溶解，而強堿則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。溫州微米氮化硼廠家

氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。天津單晶氧化鋁多少錢

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應(yīng)力更小。因此，AlN晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。另外，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度，極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命?；贏lGaN的高質(zhì)量日盲探測器已經(jīng)獲得成功應(yīng)用。天津單晶氧化鋁多少錢

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