代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

    ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù)，結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：TSOT-23-6L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

    ESD5431Z-2/TR：電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的雙向保護(hù)機(jī)制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時(shí)，能夠迅速抑制電壓波動(dòng)，保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力，根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路，能夠承受高達(dá)40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計(jì)使得集成更為便捷，同時(shí)無鉛和不含鹵素的標(biāo)準(zhǔn)也符合環(huán)保要求。

    無論是手機(jī)、計(jì)算機(jī)還是微處理器，它都能為這些設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的電壓保護(hù)，確保它們?cè)诟鞣N惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費(fèi)電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD4200BESD56131W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323F。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對(duì)于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關(guān)頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式，以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動(dòng)電路可以至小化啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動(dòng)

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場(chǎng)景，如智能手機(jī)、平板電腦和游戲機(jī)等。其軟啟動(dòng)電路和電流限制功能增強(qiáng)了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號(hào)路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。

RB521C30：肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合，如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝：WDFN-6-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD73011N

WL2815D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

WNM6001：?jiǎn)蜰溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為L(zhǎng)ED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05