中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C

來源: 發(fā)布時間:2024-05-09

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:±5V

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準,每條線路的瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)

IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)

電容:CJ=9pF(典型值)

低漏電流

低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關(guān) 封裝:WLCSP-9L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C,WILLSEMI韋爾

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設(shè)計用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費設(shè)備,如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性:

· 極低電容:CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準,每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準,提供40A(5/50ns)的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準,可承受4A(8/20μs)的浪涌電流

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護,使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56301D06WD3100B-6/TR LED驅(qū)動 封裝:SC-70-6(SOT-363)。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C,WILLSEMI韋爾

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準的浪涌保護8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,具有出色的RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括:

1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻,這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用,這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3:采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4:具有超高密度電池設(shè)計,適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)對電機等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-923。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C,WILLSEMI韋爾

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點與優(yōu)勢:

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數(shù)碼相機

· 藍牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9N12BA-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPT2N46

ESD5304D-10/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:UDFN-10(1x2.5)。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C