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來源: 發(fā)布時間:2024-04-16

ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

 1、截止電壓:5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低電容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流:IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A

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ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性:

· 截止電壓:±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR420N65TFESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。

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      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無論是對于追求高性能的設(shè)計師,還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商,WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。

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    WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過閾值時,該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護(hù)閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且無鹵素。

特點(diǎn):

· 輸入電壓:29V

· 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP響應(yīng)時間:450ns(典型值)

· 可調(diào)OVLO

· 閾值電壓:4V~15V

應(yīng)用:

· 手機(jī)和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT(機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計的靈活高效過壓保護(hù)開關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值,為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時間確保負(fù)載在瞬間過壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q

WS74199Q-10/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A