規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

    WS4665是一個單通道負(fù)載開關(guān)，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開關(guān)關(guān)閉時進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負(fù)載開關(guān)

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費電子產(chǎn)品

· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊或與我們聯(lián)系。 WS7802DE-6/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：DFN-6L(1.1x0.7)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD8811BWPM2031-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗?？焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備，且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM4006-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產(chǎn)品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護(hù)，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V

· 輸出電流：300mA

· 靜態(tài)電流：50μATyp

· 關(guān)機(jī)電流：<1μA

· 壓降電壓：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲：20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差：±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器：1μF

· 熱過載和短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器，專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設(shè)備設(shè)計。寬輸入電壓范圍和可調(diào)輸出電壓使其應(yīng)用靈活。內(nèi)置折返至高輸出電流和電流限制功能，提供額外保護(hù)。緊湊SOT-23-5L封裝，無鉛無鹵素，滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5651N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3055

WPM2341-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL