規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5344D

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-02

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),具有出色的RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。

  WPM2015xx的主要特點(diǎn)包括:

1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻,這有助于在電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用,這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3:采用無(wú)鉛、無(wú)鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4:具有超高密度電池設(shè)計(jì),適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實(shí)際應(yīng)用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動(dòng)和控制。通過(guò)控制柵極電壓,WPM2015xx可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確調(diào)節(jié),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開(kāi)關(guān) 封裝:TSOT-25。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5344D

規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5344D,WILLSEMI韋爾

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,專(zhuān)為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí),低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽(yáng)能充電器,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有的適用性??傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ABRL0-4/TRWL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

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ESD5311N:?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無(wú)鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問(wèn)題或需求,請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

ESD56151Wxx:電源保護(hù)新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計(jì)。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護(hù)電路免受過(guò)高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),為電路提供強(qiáng)大的浪涌保護(hù),同時(shí)遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV的ESD保護(hù)。 

     ESD56151Wxx的特點(diǎn)在于其低鉗位電壓設(shè)計(jì),能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對(duì)敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長(zhǎng)期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護(hù)和管理的應(yīng)用場(chǎng)景,如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護(hù)電源接口,提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,延長(zhǎng)使用壽命,降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323。

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WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開(kāi)關(guān)

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側(cè)開(kāi)關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過(guò)載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4612還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開(kāi)關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動(dòng)放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V

· 主開(kāi)關(guān)RON:60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度:±15%

· 調(diào)整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)

· 典型上升時(shí)間:600μS

· 靜態(tài)供電電流:26μA

· 欠壓鎖定

· 自動(dòng)放電

· 反向阻斷(無(wú)“體二極管”)

· 過(guò)溫保護(hù)


應(yīng)用領(lǐng)域

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開(kāi)關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開(kāi)關(guān),專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護(hù)設(shè)計(jì)。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能,應(yīng)對(duì)高電容負(fù)載和短路情況。反向保護(hù)和自動(dòng)放電功能增強(qiáng)安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。緊湊封裝,環(huán)保無(wú)鉛無(wú)鹵素設(shè)計(jì),易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:WBFBP-02C-C。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WS4672D

ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開(kāi)關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專(zhuān)為在手持設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號(hào)而設(shè)計(jì),如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個(gè)開(kāi)關(guān)都是雙向的,對(duì)高速信號(hào)的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(hào)(480Mbps)并保持信號(hào)完整性。

特性:

D+/D-上的特殊電路設(shè)計(jì),使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無(wú)論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開(kāi)啟。

SEL/OE引腳具有過(guò)壓保護(hù),允許電壓高于VCC,高達(dá)7.0V存在于引腳上,而不會(huì)損壞或中斷部件的操作,無(wú)論工作電壓如何。

還具有智能電路,用于小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說(shuō),在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用:

· 手機(jī)

· MID(移動(dòng)設(shè)備)

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專(zhuān)為高速USB2.0設(shè)計(jì)的穩(wěn)定、高效CMOS開(kāi)關(guān),適用于手持和消費(fèi)電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨(dú)特電路和過(guò)壓保護(hù)增強(qiáng)其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請(qǐng)查數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5344D