規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關(guān) 封裝：TSOT-25。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ABRL0-4/TRWL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設(shè)備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應(yīng)用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設(shè)計，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應(yīng)用場景，如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口，提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關(guān)

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4612還集成了反向保護功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關(guān)RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調(diào)整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應(yīng)用領(lǐng)域

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關(guān)，專為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護設(shè)計。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能，應(yīng)對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配，確保設(shè)備穩(wěn)定運行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設(shè)計，易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4672D

ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關(guān)都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設(shè)計，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用：

· 手機

· MID（移動設(shè)備）

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設(shè)計的穩(wěn)定、高效CMOS開關(guān)，適用于手持和消費電子產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D