規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73004D

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產(chǎn)品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護(hù)，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V

· 輸出電流：300mA

· 靜態(tài)電流：50μATyp

· 關(guān)機(jī)電流：<1μA

· 壓降電壓：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲：20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差：±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器：1μF

· 熱過載和短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器，專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設(shè)備設(shè)計。寬輸入電壓范圍和可調(diào)輸出電壓使其應(yīng)用靈活。內(nèi)置折返至高輸出電流和電流限制功能，提供額外保護(hù)。緊湊SOT-23-5L封裝，無鉛無鹵素，滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73004D

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3221C68WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機(jī)應(yīng)用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動設(shè)備設(shè)計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。

    WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過閾值時，該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護(hù)閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導(dǎo)通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應(yīng)時間：450ns（典型值）

· 可調(diào)OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應(yīng)用：

· 手機(jī)和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計的靈活高效過壓保護(hù)開關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值，為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時間確保負(fù)載在瞬間過壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2341-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72541

WCM2001-6/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：DFN-6L-EP(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73004D

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73004D