中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 RB521S30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過(guò)了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護(hù)水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級(jí)ESD保護(hù)

· IEC61000-4-4四級(jí)EFT保護(hù)

· 五種單獨(dú)的單向配置

機(jī)械特性：

· 無(wú)空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)和配件

· 個(gè)人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機(jī)

· 外設(shè)MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護(hù)器，保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)，適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS71441WL2817DA33-8/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：DFN1612-8。

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。

  WPM2015xx的主要特點(diǎn)包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無(wú)鉛、無(wú)鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計(jì)，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實(shí)際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動(dòng)和控制。通過(guò)控制柵極電壓，WPM2015xx可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。

    ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù)，結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

  BL1551B是一款模擬開(kāi)關(guān)，具體地說(shuō)：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)：

高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號(hào)切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。

低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號(hào)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損失，保證信號(hào)的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，信號(hào)泄漏非常小，從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計(jì)者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計(jì)和高效的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中，BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場(chǎng)上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。

  安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開(kāi)關(guān)，并提供樣品供您測(cè)試，如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESD73011N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006。中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG

WS72412S-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOIC-8。中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受高達(dá)6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動(dòng)狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA