中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

      WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開(kāi)關(guān)

負(fù)載開(kāi)關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無(wú)鉛無(wú)鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)，驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM2016A-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5445DESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：X1-DFN1006-2。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM3008-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受高達(dá)6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動(dòng)狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD3139F-6/TR LED驅(qū)動(dòng) 封裝：TSOT-23-6。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD82362B

WNM2046-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：DFN-3L(1x0.6)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計(jì)。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險(xiǎn)。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設(shè)備提供了可靠的防護(hù)。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時(shí)迅速響應(yīng)，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護(hù)電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計(jì)使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品等。無(wú)論是對(duì)于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費(fèi)應(yīng)用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需了解更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D05