薄膜厚度測量儀膜厚儀美元價(jià)格

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度F20-XT膜厚范圍：0.2μm - 450μm；波長：1440-1690nm。薄膜厚度測量儀膜厚儀美元價(jià)格

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – 蕞簡單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!光學(xué)系數(shù)膜厚儀免稅價(jià)格只需按下一個(gè)按鈕，您在不到一秒鐘的同時(shí)測量厚度和折射率。

濾光片整平光譜響應(yīng)。ND#0.5衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#0.5衰減整平濾波器.ND#1衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#1衰減整平濾波器.ND#2衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#2衰減整平濾波器.420nm高通濾波器.420nm高通濾波器於濾波器架.515nm高通濾波器.515nm高通濾波器於濾波器架.520nm高通濾波器+ND1.520nm高通濾波器+ND#1十倍衰減整平濾波器.520nm高通濾波器+ND#2520nm高通濾波器+ND#2一百倍衰減整平濾波器.550nm高通濾波器550nm高通濾波器於濾波器架.

F54自動化薄膜測繪FilmetricsF54系列的產(chǎn)品能以一個(gè)電動R-Theta平臺自動移動到選定的測量點(diǎn)以每秒測繪兩個(gè)點(diǎn)的速度快速的測繪薄膜厚度,樣品直徑達(dá)450毫米可選擇數(shù)十種內(nèi)建之同心圓,矩形,或線性圖案模式,或自行建立無數(shù)量限制之測量點(diǎn).瑾需具備基本電腦技能的任何人可在數(shù)分鐘內(nèi)自行建立配方F54自動化薄膜測繪只需聯(lián)結(jié)設(shè)備到您運(yùn)行Windows?系統(tǒng)計(jì)算機(jī)的USB端口,可在幾分鐘輕松設(shè)置不同的型號主要是由厚度和波長范圍作為區(qū)別。通常較薄的膜需要較短波長作測量(如F54-UV)用來測量較薄的膜,而較長的波長可以用來測量更厚，更粗糙，或更不透明的薄膜適用于所有可讓紅外線通過的材料 硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實(shí)耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達(dá)的區(qū)域，但不會自動對準(zhǔn)表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動對準(zhǔn)表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個(gè)平坦表面之間進(jìn)行測量。監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個(gè)測量位置得到。授權(quán)膜厚儀鍍膜行業(yè)

F30 系列是監(jiān)控薄膜沉積，**強(qiáng)有力的工具。薄膜厚度測量儀膜厚儀美元價(jià)格

F3-sX系列：F3-sX系列能測量半導(dǎo)體與介電層薄膜厚度到3毫米,而這種較厚的薄膜與較薄的薄膜相比往往粗糙且均勻度較為不佳波長選配F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導(dǎo)體)。F3-s980是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計(jì),F3-s1310是針對重?fù)诫s硅片的蕞jia化設(shè)計(jì),F3-s1550則是為了蕞厚的薄膜設(shè)計(jì)。附件附件包含自動化測繪平臺，一個(gè)影像鏡頭可看到量測點(diǎn)的位置以及可選配可見光波長的功能使厚度測量能力蕞薄至15奈米。薄膜厚度測量儀膜厚儀美元價(jià)格