圖像傳感器鍵合機(jī)免稅價(jià)格

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿(mǎn)足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線(xiàn)圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。 EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。圖像傳感器鍵合機(jī)免稅價(jià)格

二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征：

   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

   獨(dú)特的壓力和溫度均勻性

   與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容

   靈活的設(shè)計(jì)和研究配置

從單芯片到晶圓   

各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）  

可選渦輪泵（<1E-5 mbar）  

可升級(jí)陽(yáng)極鍵合   

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

兼容試生產(chǎn)需求：

同類(lèi)產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡

程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容

以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 MEMS鍵合機(jī)代理價(jià)格EVG和岱美經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)準(zhǔn)備為您提供支持。

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線(xiàn)，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線(xiàn)應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。

      像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類(lèi)型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過(guò)熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類(lèi)似地使用。例如，它們通?？梢栽诰韼C(jī)上購(gòu)買(mǎi)，以用于稱(chēng)為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。

EVG®301特征

使用1MHz的超音速?lài)娮旎騾^(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

單面清潔刷（選件）

用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過(guò)程

選件

帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)

非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速?lài)娮?

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯 EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。官方授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)鍵合機(jī)可以試用嗎

EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。圖像傳感器鍵合機(jī)免稅價(jià)格

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無(wú)污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 圖像傳感器鍵合機(jī)免稅價(jià)格