薄膜測(cè)厚儀膜厚儀原理

F30 系列監(jiān)控薄膜沉積，**強(qiáng)有力的工具F30 光譜反射率系統(tǒng)能實(shí)時(shí)測(cè)量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù) (n 和 k 值) 和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。

樣品層分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實(shí)際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。

各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn):極大地提高生產(chǎn)力低成本 —幾個(gè)月就能收回成本A精確 — 測(cè)量精度高于 ±1%快速 — 幾秒鐘完成測(cè)量非侵入式 — 完全在沉積室以外進(jìn)行測(cè)試易于使用 — 直觀的 Windows? 軟件幾分鐘就能準(zhǔn)備好的系統(tǒng)

型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍

F30:15nm-70μm 380-1050nm

F30-EXR:15nm - 250μm 380-1700nm

F30-NIR:100nm - 250μm 950-1700nm

F30-UV:3nm-40μm 190-1100nm

F30-UVX:3nm - 250μm 190-1700nm

F30-XT:0.2μm - 450μm1440-1690nm 厚度變化 (TTV) ；溝槽深度；過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度。薄膜測(cè)厚儀膜厚儀原理

FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

關(guān)鍵詞：厚度測(cè)量，光學(xué)測(cè)厚，非接觸式厚度測(cè)量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測(cè)厚，近紅外光測(cè)厚，TSV, CD, Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測(cè)量，石英厚度，聚合物厚度, 背磨厚度，上下兩個(gè)測(cè)試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。    

如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話(huà)，可以給我留言！

產(chǎn)品名稱(chēng)：紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備

·       產(chǎn)品型號(hào)：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP，F(xiàn)SM413C2C, FSM 8108 VITE C2C

如果您需要更多的信息，請(qǐng)聯(lián)系我們岱美儀器。 Filmetrics F32膜厚儀技術(shù)支持F50-UV測(cè)厚范圍：5nm-40μm；波長(zhǎng)：190-1100nm。

電介質(zhì)成千上萬(wàn)的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測(cè)量所有的薄膜。 

測(cè)量范例氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這個(gè)案例中，我們用F20-UVX成功地測(cè)量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)與薄膜的分子當(dāng)量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專(zhuān)有的氮化硅擴(kuò)散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測(cè)量氮化硅薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當(dāng)量。

F3-CS：

Filmetrics的F3-CS 專(zhuān)門(mén)為了微小視野及微小樣品測(cè)量設(shè)計(jì), 任何人從**操作到研&發(fā)人員都可以此簡(jiǎn)易USB供電系統(tǒng)在數(shù)秒鐘內(nèi)測(cè)量如聚對(duì)二甲苯和真空鍍膜層厚度.

我們具專(zhuān)利的自動(dòng)校正功能大幅縮短測(cè)量設(shè)置並可自動(dòng)調(diào)節(jié)儀器的靈敏度, 使用免手持測(cè)量模式時(shí), 只需簡(jiǎn)單地將樣品面朝下放置在平臺(tái)上測(cè)量樣品 , 此時(shí)該系統(tǒng)已具備可測(cè)量數(shù)百種膜層所必要的一切設(shè)置不管膜層是否在透明或不透明基底上.

快速厚度測(cè)量可選配FILMeasure厚度測(cè)量軟件使厚度測(cè)量就像在平臺(tái)上放置你的樣品一樣容易, 軟件內(nèi)建所有常見(jiàn)的電介質(zhì)和半導(dǎo)體層（包括C，N和HT型聚對(duì)二甲苯）的光學(xué)常數(shù)(n和k）,厚度結(jié)果會(huì)及時(shí)的以直覺(jué)的測(cè)量結(jié)果顯示對(duì)于進(jìn)階使用者，可以進(jìn)一步以F3-CS測(cè)量折射率, F3-CS可在任何運(yùn)行Windows XP到 Windows8 64位作業(yè)系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)上運(yùn)行, USB電纜則提供電源和通信功能. 紫外光可測(cè)試的深度：***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力。

F60 系列生產(chǎn)環(huán)境的自動(dòng)測(cè)繪Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產(chǎn)品一樣測(cè)繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產(chǎn)環(huán)境的功能。 這些功能包括凹槽自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)基準(zhǔn)確定、全封閉測(cè)量平臺(tái)、預(yù)裝軟件的工業(yè)計(jì)算機(jī)，以及升級(jí)到全自動(dòng)化晶圓傳輸?shù)臋C(jī)型。

不同的 F60-t 儀器根據(jù)波長(zhǎng)范圍加以區(qū)分。 較短的波長(zhǎng) (例如， F60-t-UV) 一般用于測(cè)量較薄的薄膜，而較長(zhǎng)的波長(zhǎng)則可以用來(lái)測(cè)量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 

包含的內(nèi)容：集成平臺(tái)/光譜儀/光源裝置（不含平臺(tái)）4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈 F30樣品層:分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。河北膜厚儀

一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺(tái)式測(cè)量系統(tǒng)。 測(cè)量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。薄膜測(cè)厚儀膜厚儀原理

銦錫氧化物與透明導(dǎo)電氧化物液晶顯示器，有機(jī)發(fā)光二極管變異體，以及絕大多數(shù)平面顯示器技術(shù)都依靠透明導(dǎo)電氧化物 (TCO) 來(lái)傳輸電流，并作每個(gè)發(fā)光元素的陽(yáng)極。 和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質(zhì)的厚度至關(guān)重要。 對(duì)于液晶顯示器而言，就需要有測(cè)量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管而言，則需要測(cè)量發(fā)光、電注入和封裝層的厚度。

在測(cè)量任何多個(gè)層次的時(shí)候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類(lèi)的光學(xué)技術(shù)需要測(cè)量或建模估算每一個(gè)層次的厚度和光學(xué)常數(shù) (反射率和 k 值)。

不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測(cè)量和建模，從而使測(cè)量在它們之上的任何物質(zhì)變得困難。Filmetrics 的氧化銦錫解決方案Filmetrics 已經(jīng)開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)便易行而經(jīng)濟(jì)有效的方法，利用光譜反射率精確測(cè)量氧化銦錫。 將新型的氧化銦錫模式和 F20-EXR, 很寬的 400-1700nm 波長(zhǎng)相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。 氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關(guān)鍵就解決了。