湖北鍵合機(jī)推薦型號(hào)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-11

一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。湖北鍵合機(jī)推薦型號(hào)

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1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí),解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實(shí)現(xiàn)圖形化,應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。3)由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對(duì)工藝流程進(jìn)一步優(yōu)化,對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 陜西鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

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Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器(面對(duì)面,背面,紅外和透明對(duì)準(zhǔn)) 無需Z軸運(yùn)動(dòng),也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對(duì)對(duì)準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室手動(dòng)或全自動(dòng)配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對(duì)盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站(蕞/大200毫米)或2個(gè)FOUP加載端口(300毫米)

ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!?nbsp;EVG服務(wù):高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

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EVGroup開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級(jí)冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。安徽鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)

EVG的 GEMINI系列,在ZUI小占地面積上,一樣利用EVG ZUI高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。湖北鍵合機(jī)推薦型號(hào)

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。 湖北鍵合機(jī)推薦型號(hào)