Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說:“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理,清潔,對(duì)齊(對(duì)準(zhǔn))和鍵合,這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?!盓VG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)PaulLindner表示:“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?!痹摴鏄?biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投資上的另一個(gè)重要里程碑,該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。半導(dǎo)體鍵合機(jī)有哪些品牌
EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓上海高校鍵合機(jī)EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。
陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣FAN用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓??梢允褂藐枠O鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na2O)。
EVG®850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過程-從臨時(shí)鍵合劑的施加,烘焙,將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣,設(shè)備布局是模塊化的,這意味著可以根據(jù)特定過程對(duì)吞吐量進(jìn)行優(yōu)化。可選的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺(tái),因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶。EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。
EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG®560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室,滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng),用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù),前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng),并結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細(xì)信息,請(qǐng)參閱我們的GEMINI手冊(cè)。EVG鍵合機(jī)的特征有:壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。西藏BONDSCALE鍵合機(jī)
晶圓級(jí)涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。半導(dǎo)體鍵合機(jī)有哪些品牌
半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃,以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件,這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。 半導(dǎo)體鍵合機(jī)有哪些品牌