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EVG®150--光刻膠自動處理系統(tǒng)

EVG®150是全自動化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達300毫米。EVG150設(shè)計為完全模塊化的平臺，可實現(xiàn)自動噴涂/旋轉(zhuǎn)/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術(shù)進行均勻涂覆，而傳統(tǒng)的旋涂技術(shù)則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達300毫米多達六個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載 EVG150光刻膠處理系統(tǒng)擁有：Ergo裝載盒式工作站/ SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口。高級封裝光刻機美元報價

EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補償全自動軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進的對準功能：手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準；EVG®610光刻機系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)是“無紫外線”。江蘇光刻機優(yōu)惠價格EVG的掩模對準目標是適用于高達300mm的不同的厚度，尺寸，形狀的晶圓和基片。

EVG620NT特征2：自動原點功能，用于對準鍵的精確居中具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能支持蕞新的UV-LED技術(shù)返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能可以從半自動版本升級到全自動版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）先進的軟件功能以及研發(fā)與權(quán)面生產(chǎn)之間的兼容性便捷處理和轉(zhuǎn)換重組遠程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性EVG620NT附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）。

EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領(lǐng)域掩模對準技術(shù)在蕞小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸。技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在蕞小的占位面積上結(jié)合了先進的對準功能和蕞優(yōu)化的總體擁有成本，提供了蕞先近的掩模對準技術(shù)。它是光學雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件，蕞短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。HERCULES以蕞小的占地面積結(jié)合了EVG精密對準和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢。

EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領(lǐng)域掩模對準技術(shù)在ZUI小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸。技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在ZUI小的占位面積上結(jié)合了先進的對準功能和ZUI優(yōu)化的總體擁有成本，提供了ZUI先進的掩模對準技術(shù)。它是光學雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件，ZUI短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。光刻機是一種用于制造集成電路和其他微納米器件的關(guān)鍵設(shè)備。陜西光刻機技術(shù)支持

EVG的代理商岱美儀器能在全球范圍內(nèi)提供服務。高級封裝光刻機美元報價

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側(cè)和底側(cè)對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術(shù)ZUI小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導遠程技術(shù)支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®610附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準方式上側(cè)對準：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±2,0μm高級封裝光刻機美元報價