半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀聯(lián)系電話

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-08-20

FSM膜厚儀簡單介紹:FSM128厚度以及TSV和翹曲變形測試設(shè)備:美國FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年,總部位于圣何塞,多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備,客戶遍布全世界,主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備:三維輪廓儀、拉曼光譜、薄膜應(yīng)力測量設(shè)備、紅外干涉厚度測量設(shè)備、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及漏電流測量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析(EOT)。請(qǐng)?jiān)L問我們的中文官網(wǎng)了解更多的信息。監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動(dòng)薄膜厚度。高達(dá)100Hz的采樣率可以在多個(gè)測量位置得到。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀聯(lián)系電話

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F54包含的內(nèi)容:集成光譜儀/光源裝置MA-Cmount安裝轉(zhuǎn)接器顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度標(biāo)準(zhǔn)聚焦/厚度標(biāo)準(zhǔn)4",6"and200mm參考晶圓真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長范圍F54:20nm-40μm380-850nmF54-UV:4nm-30μm190-1100nmF54-NIR:40nm-100μm950-1700nmF54-EXR:20nm-100μm380-1700nmF54-UVX:4nm-100μm190-1700nm*取決于材料與顯微鏡額外的好處:每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助(周一-周五)網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃北京膜厚儀推薦產(chǎn)品紫外光可測試的深度:有秀的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚樣的近表面局部應(yīng)力。

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生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕,而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械,如血管成型球囊,具有獨(dú)力的隔膜,必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。測量范例:支架是塑料或金屬制成的插入血管防止收縮的小管。很多時(shí)候,這些支架用聚合物或藥物涂層處理,以提高功能和耐腐蝕。F40配上20倍物鏡(25微米光斑),我們能夠測量沿不銹鋼支架外徑這些涂層的厚度。這個(gè)功能強(qiáng)大的儀器提供醫(yī)療器械行業(yè)快速可靠,非破壞性,無需樣品準(zhǔn)備厚度的測量。

光纖紫外線、可見光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當(dāng)堅(jiān)固的,但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過。該套件包括指令,以及簡單的維修工具,新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長,直徑200um的光纖,兩端配備SMA接頭。米長,分叉反射探頭。通用附件攜帶箱等。手提電腦手提電腦預(yù)裝FILMeasure軟件、XP和Microsoft辦公軟件。電腦提箱用于攜帶F10、F20、F30和F40系統(tǒng)的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通,"conflat、雙出入孔SMA并通過泄漏測試。LensPaper-CenterHole中間開孔鏡頭紙,用于保護(hù)面朝下的樣品,5本各100張。監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動(dòng)薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個(gè)測量位置得到。

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FSM8018VITE測試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹:VITE是傅里葉頻域技術(shù),利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)(Phasesheartechnology)設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料:硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...FSM拉曼的應(yīng)用:局部應(yīng)力; 局部化學(xué)成分;局部損傷。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀干涉測量應(yīng)用

可測量的層數(shù): 通常能夠測量薄膜堆內(nèi)的三層獨(dú)力薄膜。 在某些情況下,能夠測量到十幾層。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀聯(lián)系電話

(光刻膠)polyerlayers(高分子聚合物層)polymide(聚酰亞胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底實(shí)例:對(duì)于厚度測量,大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測量,需要一塊平整的鏡面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(鋁)gaas(砷化鎵)steel(鋼)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于%或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。半?dǎo)體設(shè)備膜厚儀聯(lián)系電話