圖像傳感器鍵合機(jī)試用

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用實(shí)用的技術(shù)。圖像傳感器鍵合機(jī)試用

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 廣西官方鍵合機(jī)EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)ZUI高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)置成本。

EVG®850LT的LowTemp?等離子計(jì)獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程，流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線(xiàn)（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線(xiàn)） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站。

EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過(guò)自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開(kāi)室設(shè)計(jì)，可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴 可選：1E-5mbar EMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

EVG®620BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)：用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動(dòng)化和可靠性而聞名，專(zhuān)為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG的鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿(mǎn)足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中ZUI苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。特征：ZUI適合EVG®501，EVG®510和EVG®520是鍵合系統(tǒng)。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對(duì)準(zhǔn)。手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)。全電動(dòng)高份辨率底面顯微鏡?；赪indows的用戶(hù)界面。在不同晶圓尺寸和不同鍵合應(yīng)用之間快速更換工具。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)器。EVG610鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)

EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的zhuan用卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。圖像傳感器鍵合機(jī)試用

EVG®501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低購(gòu)置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows®操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG®510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG®501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購(gòu)置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過(guò)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力圖像傳感器鍵合機(jī)試用