上海鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-30

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):ZUI高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,這樣可以簡化用戶常規(guī)操作。上海鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

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長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計(jì)功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。廣東鍵合機(jī)原理EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。

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熔融和混合鍵合系統(tǒng):

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器?;旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。

EVG®850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合,清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中,經(jīng)過處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理鍵合機(jī)晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用實(shí)用的技術(shù)。

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GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng),用于對準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ZUI高水平的自動(dòng)化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對晶圓對準(zhǔn)和ZUI大200毫米(300毫米)的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加,高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇,例如陽極,硅熔合,熱壓和共晶鍵合。特征全自動(dòng)集成平臺,用于晶圓對晶圓對準(zhǔn)和晶圓鍵合底部,IR或Smaiew對準(zhǔn)的配置選項(xiàng)多個(gè)鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計(jì)結(jié)合了EVG的精密對準(zhǔn)EVG所有優(yōu)點(diǎn)和®500個(gè)系列系統(tǒng)與duli系統(tǒng)相比,占用空間ZUI小可選的過程模塊:LowTemp?等離子活化晶圓清洗涂敷模塊紫外線鍵合模塊烘烤/冷卻模塊對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室5軸機(jī)器人ZUI高鍵合模塊4個(gè)ZUI高預(yù)處理模塊200毫米:4個(gè)300毫米:6個(gè)。EVG鍵合機(jī)的特征有:壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。西藏鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。上海鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣

EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。上海鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣