晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

來源: 發(fā)布時間:2023-12-23

(光刻膠)polyerlayers(高分子聚合物層)polymide(聚酰亞胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底實(shí)例:對于厚度測量,大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學(xué)常數(shù)測量,需要一塊平整的鏡面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(鋁)gaas(砷化鎵)steel(鋼)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于%或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)簟40-UV范圍:4nm-40μm,波長:190-1100nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

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生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕,而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械,如血管成型球囊,具有讀立的隔膜,必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同,但有一件事是確定的。使用普通方法(例如,在涂層前后稱某一部分的重量),無法檢測到會導(dǎo)致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻性等問題。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀原理當(dāng)測量斑點(diǎn)只有1微米(μm)時,需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統(tǒng)。

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集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量,另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米,同時具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

F60系列包含的內(nèi)容:集成平臺/光譜儀/光源裝置(不含平臺)4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處:每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助(周一-周五)網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計(jì)劃監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。

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FSM8018VITE測試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹:VITE是傅里葉頻域技術(shù),利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)(Phasesheartechnology)設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料:硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...F20測厚范圍:15nm - 70μm;波長:380-1050nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

F30-UV測厚范圍:3nm-40μm;波長:190-1100nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時顯示精確測量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件,但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺,具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動測繪與自動對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動樣品平臺??梢赃M(jìn)行100mm高精度XY平移,包括自動焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡(15倍反射式物鏡)及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺,包括光纖,和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉(zhuǎn)接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣