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引線鍵合主要用于幾乎所有類(lèi)型的半導(dǎo)體中，這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中，每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個(gè)鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對(duì)成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過(guò)程需要一個(gè)類(lèi)似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時(shí)將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。?dāng)銅用于球焊時(shí)，氮?dú)庖詺鈶B(tài)形式使用，以防止在引線鍵合過(guò)程中形成氧化銅。EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。值得買(mǎi)鍵合機(jī)可以免稅嗎

EVG®6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站微流控鍵合機(jī)用于生物芯片EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速?lài)娮祛l率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級(jí)3D集成，晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。SmartView NT鍵合機(jī)可以試用嗎

業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。值得買(mǎi)鍵合機(jī)可以免稅嗎

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺(jué)隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以?xún)?yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。值得買(mǎi)鍵合機(jī)可以免稅嗎

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是國(guó)內(nèi)一家多年來(lái)專(zhuān)注從事半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x的老牌企業(yè)。公司位于金高路2216弄35號(hào)6幢306-308室，成立于2002-02-07。公司的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)遍布國(guó)內(nèi)各大市場(chǎng)。公司業(yè)務(wù)不斷豐富，主要經(jīng)營(yíng)的業(yè)務(wù)包括：半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x等多系列產(chǎn)品和服務(wù)。可以根據(jù)客戶需求開(kāi)發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品，深受客戶的好評(píng)。公司與行業(yè)上下游之間建立了長(zhǎng)久親密的合作關(guān)系，確保半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)，絕不因價(jià)格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司依托多年來(lái)完善的服務(wù)經(jīng)驗(yàn)、良好的服務(wù)隊(duì)伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴，目前已經(jīng)得到儀器儀表行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持，并贏得長(zhǎng)期合作伙伴的信賴(lài)。