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EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn) 加熱層壓EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類型。SUSS鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷的參數(shù)：材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染?？蛇x功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）天津微流控鍵合機(jī)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。

EVG®6200BA自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對中平臺(tái)，帶有自動(dòng)對中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面

EVG®850鍵合機(jī) EVG®850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：ZUI高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s）自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560，擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。中國澳門低溫鍵合機(jī)

晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。SUSS鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG&reg;501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbarSUSS鍵合機(jī)供應(yīng)商家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是以提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀為主的其他有限責(zé)任公司，公司始建于2002-02-07，在全國各個(gè)地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。岱美中國致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力，多年來，已經(jīng)為我國儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。