江西SUSS鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹(shù)脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。江西SUSS鍵合機(jī)

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過(guò)程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯中國(guó)臺(tái)灣GEMINI鍵合機(jī)在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

完美的多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對(duì)準(zhǔn)過(guò)程 EVG®610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站

EVG501晶圓鍵合機(jī)，先進(jìn)封裝，TSV，微流控加工?；竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于：微流體芯片，半導(dǎo)體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進(jìn)封裝等。一、簡(jiǎn)介：EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。二、特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶，焊料，TLP，直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級(jí)陽(yáng)極鍵合開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求：同類產(chǎn)品中比較低擁有成本開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。三、參數(shù)：蕞大鍵合力：20kN，加熱器尺寸：150mm。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。江西SUSS鍵合機(jī)

晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。江西SUSS鍵合機(jī)

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。江西SUSS鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司在半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位，無(wú)論是產(chǎn)品還是服務(wù)，其高水平的能力始終貫穿于其中。岱美中國(guó)是我國(guó)儀器儀表技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。岱美中國(guó)以半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x為主業(yè)，服務(wù)于儀器儀表等領(lǐng)域，為全國(guó)客戶提供先進(jìn)半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x。多年來(lái)，已經(jīng)為我國(guó)儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。