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這使得可以在工業(yè)水平上開發(fā)新的設備或工藝，這不僅需要高度的靈活性，而且需要可控和可重復的處理。EVG在要求苛刻的應用中積累了多年的旋涂和噴涂經驗，并將這些知識技能整合到EVG100系列中，可以利用我們的工藝知識為客戶提供支持。光刻膠處理設備有：EVG101光刻膠處理，EVG105光刻膠烘焙機，EVG120光刻膠處理自動化系統(tǒng)；EVG150光刻膠處理自動化系統(tǒng)。如果您需要了解每個型號的特點和參數(shù)，請聯(lián)系我們，我們會給您提供蕞新的資料?；蛘咴L問我們的官網獲取相關信息。EVG101光刻膠處理機可支持蕞大300 mm的晶圓。研究所光刻機供應商家

EVG®150--光刻膠自動處理系統(tǒng)EVG®150是全自動化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達300毫米。EVG150設計為完全模塊化的平臺，可實現(xiàn)自動噴涂/旋轉/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術進行均勻涂覆，而傳統(tǒng)的旋涂技術則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達300毫米多達六個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載中芯國際光刻機值得買EVG同樣為客戶提供量產型掩模對準系統(tǒng)。

光刻膠處理系統(tǒng)：EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)為光刻膠涂層和顯影建立了質量和靈活性方面的新標準。EVG100系列的設計旨在提供*廣范的工藝變革，其模塊化功能可提供旋涂和噴涂，顯影，烘烤和冷卻模塊，以滿足個性化生產需求。這些系統(tǒng)可處理各種材料，例如正性和負性光刻膠，聚酰亞胺，薄光刻膠層的雙面涂層，高粘度光刻膠和邊緣保護涂層。這些系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300mm，矩形，正方形甚至不規(guī)則形狀的基板，而無需或只需很短的加工時間。

EVG®610掩模對準系統(tǒng)■晶圓規(guī)格：100mm/150mm/200mm■頂/底部對準精度達到±0.5μm/±1.0μm■用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡■軟件，硬件，真空和接近式曝光■自動楔形補償■鍵合對準和NIL可選■支持蕞新的UV-LED技術EVG®620NT/EVG®6200NT掩模對準系統(tǒng)（自動化和半自動化）■晶圓產品規(guī)格：150mm/200mm■接近式楔形錯誤補償■多種規(guī)格晶圓轉換時間少于5分鐘■初次印刷高達180wph/自動對準模式為140wph■可選獨力的抗震型花崗巖平臺■動態(tài)對準實時補償偏移■支持蕞新的UV-LED技術只有以客戶的需求為導向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)為光刻膠涂層和顯影建立了質量和靈活性方面的新的標準。襯底光刻機國內用戶

EVG?620 NT / EVG?6200 NT 掩模對準系統(tǒng)（自動化和半自動化）支持的晶圓尺寸 ：150 mm / 200 mm。研究所光刻機供應商家

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉涂層模塊-旋轉器參數(shù)轉速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm噴涂模塊-噴涂產生超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴；開發(fā)模塊-分配選項水坑顯影/噴霧顯影EVG101光刻膠處理系統(tǒng)；附加模塊選項：預對準：機械系統(tǒng)控制參數(shù)：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個作業(yè)/實時遠程訪問，診斷和故障排除多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR研究所光刻機供應商家

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