重慶中科院膜厚儀

F30系列監(jiān)控薄膜沉積，蕞強(qiáng)有力的工具F30光譜反射率系統(tǒng)能實(shí)時(shí)測量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k值)和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。樣品層分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積:可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。這實(shí)際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn):極大地提高生產(chǎn)力低成本—幾個(gè)月就能收回成本A精確—測量精度高于±1%快速—幾秒鐘完成測量非侵入式—完全在沉積室以外進(jìn)行測試易于使用—直觀的Windows?軟件幾分鐘就能準(zhǔn)備好的系統(tǒng)型號厚度范圍*波長范圍F30:15nm-70μm380-1050nmF30-EXR:15nm-250μm380-1700nmF30-NIR:100nm-250μm950-1700nmF30-UV:3nm-40μm190-1100nmF30-UVX:3nm-250μm190-1700nmF30-XT:0.2μm-450μm1440-1690nm厚度變化 (TTV) ；溝槽深度；過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度。重慶中科院膜厚儀

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實(shí)耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達(dá)的區(qū)域，但不會自動對準(zhǔn)表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動對準(zhǔn)表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個(gè)平坦表面之間進(jìn)行測量。重慶中科院膜厚儀一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。 測量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。

測量復(fù)雜的有機(jī)材料典型的有機(jī)發(fā)光顯示膜包括幾層： 空穴注入層，空穴傳輸層，以及重組/發(fā)光層。所有這些層都有不尋常有機(jī)分子（小分子和/或聚合物）。雖然有機(jī)分子高度反常色散，測量這些物質(zhì)的光譜反射充滿挑戰(zhàn)，但對Filmetrics卻不盡然。我們的材料數(shù)據(jù)庫覆蓋整個(gè)OLED的開發(fā)歷史，能夠處理隨著有機(jī)分子而來的高折射散射和多種紫外光譜特征。軟基底上的薄膜有機(jī)發(fā)光顯示器具有真正柔性顯示的潛力，要求測量像PET（聚乙烯）塑料這樣有高雙折射的基準(zhǔn)，這對托偏儀測量是個(gè)嚴(yán)重的挑戰(zhàn)： 或者模擬額外的復(fù)雜光學(xué)，或者打磨PET背面。 而這些對我們非偏振反射光譜來說都不需要，極大地節(jié)約了人員培訓(xùn)和測量時(shí)間。操作箱中測量有機(jī)發(fā)光顯示器材料對水和氧極度敏感。 很多科研小組都要求在控制的干燥氮?dú)獠僮飨渲袦y量。 而我們體積小，模塊化，光纖設(shè)計(jì)的儀器提供非密封、實(shí)時(shí)“操作箱”測量。

FSM413紅外干涉測量設(shè)備關(guān)鍵詞：厚度測量，光學(xué)測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV,CD,Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下兩個(gè)測試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。如果您對該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！產(chǎn)品名稱：紅外干涉厚度測量設(shè)備·產(chǎn)品型號：FSM413EC,FSM413MOT，F(xiàn)SM413SADP，F(xiàn)SM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器。 厚度范圍: 測量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

F60系列包含的內(nèi)容：集成平臺/光譜儀/光源裝置（不含平臺）4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計(jì)劃F30-UV測厚范圍：3nm-40μm；波長：190-1100nm。晶圓膜厚儀應(yīng)用

F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。重慶中科院膜厚儀

公司專業(yè)從事半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀的研究與開發(fā)，設(shè)計(jì)制造及生產(chǎn)經(jīng)營為一體的實(shí)體企業(yè)，嚴(yán)格執(zhí)行國家質(zhì)量體系認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)。 本公司具備可靠研發(fā)隊(duì)伍，生產(chǎn)半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀等系列產(chǎn)品。儀器儀表上游的行業(yè)主要包括五金件、電子元器件、傳感器等；儀器儀表按應(yīng)用類型可分為通用型和專業(yè)型；下游應(yīng)用非常極廣，包括石油化工、鋼鐵冶煉、電力（電表）、建筑測繪（測量儀表）、軌道交通（汽車儀表盤等）等各行業(yè)。針對標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制方案策劃、均勻性與穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)、不同定值模式下的技術(shù)要求、新型統(tǒng)計(jì)學(xué)方法與不確定度評估等方面，給出更為詳細(xì)和完善的規(guī)定。該規(guī)范具有較強(qiáng)的可操作性和技術(shù)指導(dǎo)意義，有利于規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的研制和生產(chǎn)過程，確保標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)量值的溯源性、準(zhǔn)確性與可靠性。政策助力對推動經(jīng)濟(jì)發(fā)展、促進(jìn)相關(guān)行業(yè)技術(shù)升級、打破國外半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀壟斷、提高半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀國產(chǎn)化率及國產(chǎn)替代等方面具有重要戰(zhàn)略意義，近年來我國密集出臺涉及儀器儀表行業(yè)及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)政策，在政策支持下，我國本土企業(yè)有望突出重圍。重慶中科院膜厚儀

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