優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊)

作者:[smwr2] 發(fā)布時(shí)間:[2024-06-04 00:07:36]

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優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊), 一個(gè)用于LO輸出,另一個(gè)用于SSB,TTX,測(cè)試回路輸出。合成的射頻信號(hào)的振幅通過(guò)由6dB和12dB衰減器矩陣來(lái)適應(yīng)所需的輸出水平,該衰減器分別提供12和18dB的整體衰減為6dB。DORFPA用于將射頻發(fā)射脈沖提高到特定掃描所需的功率水平。

磁磁體線圈為d形,被設(shè)計(jì)為無(wú)調(diào)諧線圈,也就是說(shuō),患者依賴的阻抗匹配不再需要。阻抗匹配被設(shè)置為一個(gè)固定的值,優(yōu)化了功率要求大的重負(fù)荷。因此,在輕負(fù)荷的情況下,會(huì)發(fā)生非常高的反射。在BCCS中,大部分的反射將通過(guò)混合動(dòng)力車定向到位于Tas中的虛擬負(fù)載。假設(shè)BCCS功能正常,在壞的情況下,RFPA多只能看到20%的反射。的射頻基礎(chǔ)設(shè)施滿足了控制和提供射頻艙內(nèi)所有相關(guān)射頻組件和射頻線圈的所有要求。 優(yōu)選-福建<b>EIDEN-</b><b>4420A射頻記錄儀</b>選擇(2024更新中)(今日/資訊)

優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊), 12月24日,記者獲悉,近日全球首款醫(yī)療用無(wú)線射頻線圈在合肥研制成功。這項(xiàng)新成果打破了傳統(tǒng)磁共振有線線圈的使用限制,未來(lái),可廣泛應(yīng)用于靶向給藥、腦機(jī)接口、深度腦刺激等新型醫(yī)療應(yīng)用場(chǎng)景,具有重要臨床應(yīng)用價(jià)值。隨著醫(yī)療技術(shù)的飛速發(fā)展,核磁共振成像技術(shù)越來(lái)越成熟。射頻系統(tǒng)是核磁共振設(shè)備中基本也是重要的部分,主要功能是實(shí)施射頻激勵(lì)與接收核磁共振信號(hào)。而射頻線圈就是磁共振成像設(shè)備射頻系統(tǒng)中的核心部件,直接關(guān)系到磁共振成像的質(zhì)量和效率。 優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊)

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優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊), 產(chǎn)生激發(fā)質(zhì)子核的B1場(chǎng)。僅傳輸模式-其中體線圈傳輸激勵(lì)脈沖,一個(gè)或多個(gè)局部線圈接收Mr回波。發(fā)射/接收模式-車身線圈另外用于接收Mr回波信號(hào)。體線圈的主要用途是發(fā)射激勵(lì)脈沖和用于切片定位的偵察兵或拓?fù)鋱D像的定位成像。鳥(niǎo)籠設(shè)計(jì)的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是,射頻場(chǎng)振幅在成像體積之外下降非???,從而大大減少了場(chǎng)模糊偽影(例如第臂偽影),并在線圈上更均勻地分布射頻場(chǎng)的長(zhǎng)度。當(dāng)輸入的射頻信號(hào)處于線圈的諧振頻率時(shí),通過(guò)線圈諧振器元件的電流根據(jù)信號(hào)相位通過(guò)端環(huán)穿過(guò)線圈元件。對(duì)于CP線圈,諧振器系統(tǒng)之間的解耦是一個(gè)重要的問(wèn)題。 優(yōu)選-福建EIDEN-4420A射頻記錄儀選擇(2024更新中)(今日/資訊)

接收線圈通道選擇器的主要任務(wù)是放大本地線圈上接收到的Mr信號(hào),并將其路由到RFSU接收模塊中各自的ADC通道。接收器板負(fù)責(zé)將接收到的Mr信號(hào)混合到大約1MHz的中頻,以便通過(guò)a/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行量化(數(shù)字化)。RX板,在那里它被數(shù)字過(guò)濾、解調(diào)和抽取,以創(chuàng)建所謂的“圖像原始數(shù)據(jù)”。然后將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換到MARS中,以進(jìn)行終的圖像重建。系列原創(chuàng)技術(shù)專欄基礎(chǔ)上升級(jí)打造的技術(shù)問(wèn)答學(xué)習(xí)平臺(tái),主要圍繞射頻芯片、微波電路、天線、雷達(dá)、等相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,致力于為無(wú)線通信、微波射頻、雷達(dá)等行業(yè)的工程師,提供優(yōu)質(zhì)、原創(chuàng)的技術(shù)問(wèn)答、專欄文章、射頻課程等學(xué)習(xí)內(nèi)容。

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解:計(jì)算這路的射頻電流,再以電流計(jì)算電容中的射頻功率耗散。電流=(功率/阻抗)1/2(這是這路內(nèi)的電流)(1000/50)1/2=4.47安培電容中實(shí)際耗散功率:P=I2xESR(這是電容將耗散的功率)P=4.47x4.47x0.018=0.34瓦。這個(gè)結(jié)果意味著在一個(gè)1000瓦射頻功率,50歐姆阻抗的設(shè)備中,只有0.34瓦是由于ESR而被電容消耗掉的。因此,電容由于ESR只消耗了它額定大功率的6.8%。由于電容ESR損耗極低,電容溫升可以忽略。介質(zhì)成分,不純度和微觀結(jié)構(gòu)例如晶粒大小,組成和氣孔多少(密度)這些介質(zhì)特性決定陶瓷電容的介質(zhì)損耗正切。每種介質(zhì)都有自己的損耗因數(shù),或損耗正切。損耗正切數(shù)值等于耗散系數(shù)(DF),是電容介質(zhì)在射頻下?lián)p耗的量度。這個(gè)損耗造成介質(zhì)發(fā)熱。在極端情況下,熱損壞能造成設(shè)備失效。耗散系數(shù)是介質(zhì)損耗量級(jí)很好的指標(biāo),通常是在低頻,即1MHz下測(cè)定的。在這頻率下介質(zhì)損耗是電容損耗的主要成分。

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