大熱資訊-成都金屬面板微孔加工商家(2024已更新)(今日/行情)，企業(yè)發(fā)展1999年成立激光加工中心2006年成立設(shè)備技術(shù)研發(fā)中心2009年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)激光設(shè)備定制2010年激光設(shè)備定制全面推向市場(chǎng)2011年加入深圳市防偽協(xié)會(huì)單位2012年加入深圳營(yíng)銷協(xié)會(huì)。
大熱資訊-成都金屬面板微孔加工商家(2024已更新)(今日/行情)， (4) 絕緣性好，滿足器件電互連與絕緣需求。(5) 機(jī)械強(qiáng)度高，滿足器件加工、封裝與應(yīng)用過程的強(qiáng)度要求。(6) 價(jià)格適宜，適合大規(guī)模生產(chǎn)及應(yīng)用。目前常用電子封裝基板主要可分為高分子基板、金屬基板 (金屬核線路板，MCPCB) 和陶瓷基板幾類[4]。對(duì)于功率器件封裝而言，封裝基板除具備基本的布線 (電互連) 功能外，還要求具有較高的導(dǎo)熱、耐熱、絕緣、強(qiáng)度與熱匹配性能。因此，高分子基板 (如 PCB) 和金屬基板 (如 MCPCB) 使用受到很大限制；而陶瓷材料本身具有熱導(dǎo)率高、耐熱性好、高絕緣、高強(qiáng)度、與芯片材料熱匹配等性能，非常適合作為功率器件封裝基板，目前已在半導(dǎo)體照明、激光與光通信、航空航天、汽車電子、深海鉆探等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
直接粘接維陶瓷基板 (DAC)：上述 HTCC、LTCC 及 MSC 基板線路層都采用絲網(wǎng)印刷制備，精度較低，難以滿足高精度、高集成度封裝要求，因此業(yè)界提出在高精度 DPC 陶瓷基板上成型腔體制備維陶瓷基板。由于 DPC 基板金屬線路層在高溫 (超過 300°C) 下會(huì)出現(xiàn)氧化、起泡甚至脫層等現(xiàn)象，因此基于 DPC 技術(shù)的維陶瓷基板制備必須在低溫下進(jìn)行。臺(tái)灣璦司柏 (ICP) 提出采用膠粘法制備維陶瓷基板[44]，樣品如圖 20 所示。首先加工金屬環(huán)和 DPC 陶瓷基板，然后采用有機(jī)粘膠將金屬環(huán)與 DPC 基板對(duì)準(zhǔn)后粘接、加熱固化，如圖 21 所示。由于膠液流動(dòng)性好，因此涂膠工藝簡(jiǎn)單，成本低，易于實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，且所有制備工藝均在低溫下進(jìn)行，不會(huì)對(duì) DPC 基板線路層造成損傷。但是，由于有機(jī)粘膠耐熱性差，固化體與金屬、陶瓷間熱膨脹系數(shù)差較大，且為非氣密性材料，目前 DAC 陶瓷基板主要應(yīng)用于線路精度要求較高，但對(duì)耐熱性、氣密性、可靠性等要求較低的電子器件封裝。
大熱資訊-成都金屬面板微孔加工商家(2024已更新)(今日/行情)， 陶瓷基板高精度與小型化：為了滿足器件小型化發(fā)展要求，必須不斷提高陶瓷基板線路層加工精度 (線寬/線距)。對(duì)于 TPC、HTCC/LTCC 和 MSC 陶瓷基板，其線路層采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料制備，圖形精度較低 (一般大于 100 μm)。對(duì)于 DBC 和 AMB 陶瓷基板，其線路層通過濕法腐蝕金屬銅層得到，由于銅層較厚，其圖形精度也較低 (一般大于 200 μm)。而對(duì)于 DPC、MPC 和 DMC 陶瓷基板，其線路層通過圖形電鍍生長(zhǎng)制備，圖形精度高 (一般可控制在小于 50 μm，取決于線路層厚度)。因此，對(duì)于集成度較高和小型化功率器件封裝，開始逐漸采用圖形精度較高的 DPC 陶瓷基板 (如圖 36)。
(1) 膠帶法：將 3M 膠帶緊貼金屬層表面，用橡皮滾筒在上面滾壓，以去除粘接面內(nèi)氣泡。10 s后用垂直于金屬層的拉力使膠帶剝離，檢測(cè)金屬層是否從基片上剝離，屬于一種定性測(cè)試方法。(2) 焊線法：選用直徑為 0.5 mm 或 1.0 mm 的金屬線，通過焊料熔化直接焊接在基板金屬層上，隨后用拉力計(jì)沿垂直方向測(cè)量金屬線抗拉力。(3) 剝離強(qiáng)度法：將陶瓷基板表面金屬層蝕刻 (劃切) 成 5 mm ? 10 mm 長(zhǎng)條，然后在剝離強(qiáng)度測(cè)試機(jī)上沿垂直方向撕下，測(cè)試其剝離強(qiáng)度。要求剝離速度為 50 mm/min，測(cè)量頻率為 10 次/s。
大熱資訊-成都金屬面板微孔加工商家(2024已更新)(今日/行情)， 目前 TPC 基板關(guān)鍵技術(shù)在于制備高性能金屬漿料。金屬漿料主要由金屬粉末、有機(jī)載體和玻璃粉等組成。漿料中可供選擇的導(dǎo)體金屬有 Au、Ag、Ni、Cu 和 Al 等。銀基導(dǎo)電漿料因其具有較高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能及相對(duì)低廉的價(jià)格而應(yīng)用廣泛 (占金屬漿料市場(chǎng) 80% 以上份額[23])。研究表明，銀顆粒粒徑顆粒粒徑、形貌等對(duì)導(dǎo)電層性能影響很大。如Park等人通過加入適量納米銀顆粒降低了銀漿電阻率:Zhou等人指出金屬層電阻率隨著球狀銀顆粒尺寸減小而降低,片狀銀粉(尺寸6m)制備的金屬漿料電阻率遠(yuǎn)小于同樣尺寸球狀銀粉制備的漿料。
封裝性能：陶瓷基板封裝性能主要指可焊性與氣密性 (限維陶瓷基板)。可焊性是指芯片或金屬引線能否順利與基板金屬層焊接 (鍵合) 在一起，同時(shí)具有一定鍵合強(qiáng)度。為提高陶瓷基板可焊性，一般需在基板金屬層進(jìn)行表面處理 (如化學(xué)鍍銀，化學(xué)鍍 Ni/Au、Ni/Pd/Au等)，可防止金屬層氧化，同時(shí)提高金屬層可焊性。表面處理層成分與厚度對(duì)可焊性影響較大，通常可采用引線鍵合機(jī)和剪切強(qiáng)度測(cè)試儀進(jìn)行評(píng)估。